TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE COMPORTANT DES PLAQUES DE CHAMP RELIEES A LA SOURCE (Brevets)

Titre

TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE COMPORTANT DES PLAQUES DE CHAMP RELIEES A LA SOURCE

N° et date de publication de la demande

WO2005114744 - 01/12/2005

Type de la demande

N° et date de dépôt

PCT/US2005009884 - 24/03/2005

N° et date de priorité

US57051904 - 11/05/2004 ; US95897004 - 04/10/2004

Classification CIB

H01L 29/778 ; H01L 29/06 ; H01L 29/20 ; H01L 29/40

Classification CPC

H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/66462 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/402 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316

Famille de brevets

CN1954440A ; TW201243964A ; JP2015228508A ; US2009236635A1 ; CA2566756A1 ; JP2012235153A ; EP3432362A1 ; EP1751803A2 ; EP2270871A1 ; US2011169054A1 ; EP2270870A1 ; WO2005114744A2 ; JP2007537593A ; KR20070012852A ; US2006006415A1 ; TW200618278A

Abrégé

La présente invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) qui comprend une pluralité de couches semi-conductrices actives formées sur un substrat. Une électrode source, une électrode drain et une grille sont formées en contact électrique avec les multiples couches actives. Une couche d'espacement est formée sur au moins une partie d'une surface des multiples couches actives et recouvre la grille. Une plaque de champ est formée sur la couche d'espacement et électriquement reliée à l'électrode source, ladite plaque de champ réduisant le champ électrique maximal dans le HEMT.