Brevet : WO2005114744 - TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE...
Titre
TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE COMPORTANT DES PLAQUES DE CHAMP RELIEES A LA SOURCE
N° et date de publication de la demande
WO2005114744 - 01/12/2005
Type de la demande
A2
N° et date de dépôt
PCT/US2005009884 - 24/03/2005
N° et date de priorité
US57051904 - 11/05/2004 ; US95897004 - 04/10/2004
Classification CIB
Classification CPC
H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/66462 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/402 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316
Famille de brevets
CN1954440A ; TW201243964A ; JP2015228508A ; US2009236635A1 ; CA2566756A1 ; JP2012235153A ; EP3432362A1 ; EP1751803A2 ; EP2270871A1 ; US2011169054A1 ; EP2270870A1 ; WO2005114744A2 ; JP2007537593A ; KR20070012852A ; US2006006415A1 ; TW200618278A
Abrégé
La présente invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) qui comprend une pluralité de couches semi-conductrices actives formées sur un substrat. Une électrode source, une électrode drain et une grille sont formées en contact électrique avec les multiples couches actives. Une couche d'espacement est formée sur au moins une partie d'une surface des multiples couches actives et recouvre la grille. Une plaque de champ est formée sur la couche d'espacement et électriquement reliée à l'électrode source, ladite plaque de champ réduisant le champ électrique maximal dans le HEMT.
INTERVENANTS
Déposant
CREE INC (CREE, INC.) - US
Inventeur
WU YIFENG (WU, YIFENG) - US
PARIKH PRIMIT (PARIKH, PRIMIT) - US
MISHRA UMESH (MISHRA, UMESH) - US
MOORE MARCIA (MOORE, MARCIA) - US