Brevet : EP2270870 - TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE CO...

Titre

TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE COMPORTANT DES PLAQUES DE CHAMP RELIEES A LA SOURCE

N° et date de publication de la demande

EP2270870 - 05/01/2011

Type de la demande

A1

N° et date de dépôt

EP10183441.4 - 24/03/2005

N° et date de priorité

US57051904 - 11/05/2004 ; US95897004 - 04/10/2004

Famille de brevets

CN1954440A ; TW201243964A ; JP2015228508A ; US2009236635A1 ; CA2566756A1 ; JP2012235153A ; EP3432362A1 ; EP1751803A2 ; EP2270871A1 ; US2011169054A1 ; EP2270870A1 ; WO2005114744A2 ; JP2007537593A ; KR20070012852A ; US2006006415A1 ; TW200618278A

Abrégé

L‘invention concerne un transistor (10), qui comprend plusieurs couches (16, 18) de semi-conducteurs actives. Des électrodes de source (20) et drain (22) sont formées sur les couches de semi-conducteurs actives. Une grille (24) est formée entre les électrodes de source et de drain et sur les couches de semi-conducteurs actives. Une couche (26) d‘espacement recouvre la surface des couches de semi-conducteurs actives entre la grille et la source, et au moins une partie des couches de semi-conducteurs actives entre l‘électrode de grille et de drain. Une plaque (30) de champ est formée sur la couche d‘espacement, isolée des couches de semi-conducteurs actives et s‘étendant à une distance (Lf) de la grille vers l‘électrode de drain, la plaque de champ étant reliée électriquement à l‘électrode de source par une structure (32, 34, 44, 46) conductrice.