HEMTS MIT GROSSEM BANDABSTAND MIT SOURCE-VERBUNDENEN FELDPLATTEN (Brevets)

Titre

HEMTS MIT GROSSEM BANDABSTAND MIT SOURCE-VERBUNDENEN FELDPLATTEN

N° et date de publication de la demande

EP3432362 - 23/01/2019

Type de la demande

N° et date de dépôt

EP18192908 - 24/03/2005

N° et date de priorité

US57051904 - 11/05/2004 ; US95897004 - 04/10/2004

Classification CIB

H01L 29/778 ; H01L 29/06 ; H01L 29/20 ; H01L 29/40 ; H01L 29/417 ; H01L 29/423

Classification CPC

H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/66462 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/402 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316

Famille de brevets

CN1954440A ; TW201243964A ; JP2015228508A ; US2009236635A1 ; CA2566756A1 ; JP2012235153A ; EP3432362A1 ; EP1751803A2 ; EP2270871A1 ; US2011169054A1 ; EP2270870A1 ; WO2005114744A2 ; JP2007537593A ; KR20070012852A ; US2006006415A1 ; TW200618278A

Abrégé

La présente invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) (10) qui comprend une pluralité de couches semi-conductrices actives (14, 16, 18) formées sur un substrat. Une électrode source (20), une électrode drain (22) et une grille (24) sont formées en contact électrique avec les multiples couches actives. Une couche d'espacement (26) est formée sur au moins une partie d'une surface des multiples couches actives et recouvre la grille. Une plaque de champ (30) est formée sur la couche d'espacement et électriquement reliée à l'électrode source à travers au moins un chemin conducteur (32, 34), ladite plaque de champ réduisant le champ électrique maximal dans le HEMT.