Brevet : EP3432362 - HEMTS MIT GROSSEM BANDABSTAND MIT SOURCE-VERBUNDENEN FELDPLATTEN
Titre
HEMTS MIT GROSSEM BANDABSTAND MIT SOURCE-VERBUNDENEN FELDPLATTEN
N° et date de publication de la demande
EP3432362 - 23/01/2019
Type de la demande
A1
N° et date de dépôt
EP18192908 - 24/03/2005
N° et date de priorité
US57051904 - 11/05/2004 ; US95897004 - 04/10/2004
Classification CIB
H01L 29/778 ; H01L 29/06 ; H01L 29/20 ; H01L 29/40 ; H01L 29/417 ; H01L 29/423
Classification CPC
H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/402 ; H01L 29/66462 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/402 ; H01L 29/2003 ; H01L 29/7787 ; H01L 29/41725 ; H01L 29/42316
Famille de brevets
CN1954440A ; TW201243964A ; JP2015228508A ; US2009236635A1 ; CA2566756A1 ; JP2012235153A ; EP3432362A1 ; EP1751803A2 ; EP2270871A1 ; US2011169054A1 ; EP2270870A1 ; WO2005114744A2 ; JP2007537593A ; KR20070012852A ; US2006006415A1 ; TW200618278A
Abrégé
La présente invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) (10) qui comprend une pluralité de couches semi-conductrices actives (14, 16, 18) formées sur un substrat. Une électrode source (20), une électrode drain (22) et une grille (24) sont formées en contact électrique avec les multiples couches actives. Une couche d'espacement (26) est formée sur au moins une partie d'une surface des multiples couches actives et recouvre la grille. Une plaque de champ (30) est formée sur la couche d'espacement et électriquement reliée à l'électrode source à travers au moins un chemin conducteur (32, 34), ladite plaque de champ réduisant le champ électrique maximal dans le HEMT.
INTERVENANTS
Déposant
CREE INC (Cree, Inc.) - US
Inventeur
WU YIFENG (WU, Yifeng) - US
PARIKH PRIMIT (PARIKH, Primit) - US
MISHRA UMESH (MISHRA, Umesh) - US
MOORE MARCIA (MOORE, Marcia) - US