Brevet : EP2270871 - TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE CO...

Titre

TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE COMPORTANT DES PLAQUES DE CHAMP RELIEES A LA SOURCE

N° et date de publication de la demande

EP2270871 - 05/01/2011

Type de la demande

A1

N° et date de dépôt

EP10183607.0 - 24/03/2005

N° et date de priorité

US57051904 - 11/05/2004 ; US95897004 - 04/10/2004

Famille de brevets

CN1954440A ; TW201243964A ; JP2015228508A ; US2009236635A1 ; CA2566756A1 ; JP2012235153A ; EP3432362A1 ; EP1751803A2 ; US2011169054A1 ; EP2270871A1 ; EP2270870A1 ; WO2005114744A2 ; JP2007537593A ; KR20070012852A ; US2006006415A1 ; TW200618278A

Abrégé

L‘invention concerne un transistor comportant une pluralité de couches semi-conductrices actives (16,18) et des électrodes source et de drain (20, 22) sur les couches semi-conductrices. Une grille (24) est formée entre les électrodes source et de drain et sur les couches de semi-conducteurs. Une couche de séparation (26) recouvre au moins une partie de la surface des couches de semi-conducteurs entre la grille et le drain, ou recouvre au moins une partie de la surface des couches de semi-conducteurs entre la grille et la source. Une plaque de champ (30) est formée sur la couche d'espacement, et une piste conductrice (34,46) s‘étend en dehors de la zone recouverte par les couches de semi-conducteurs, et entre la plaque de champ et l'électrode source pour connecter électriquement la plaque de champ à l‘électrode source.