Brevet : WO2017214084 - LINGOT ET PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN À RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE PRÉSENTA...
Titre
LINGOT ET PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN À RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE PRÉSENTANT UNE RÉSISTANCE MÉCANIQUE AMÉLIORÉE
N° et date de publication de la demande
WO2017214084 - 14/12/2017
Type de la demande
A1
N° et date de dépôt
PCT/US2017036061 - 06/06/2017
N° et date de priorité
US201662347143 - 08/06/2016 ; US201662347145 - 08/06/2016
Classification CIB
Classification CPC
C30B 29/06 ; C30B 15/30 ; C30B 30/04 ; H01L 31/0288 ; C30B 15/305 ; C30B 29/06 ; C30B 15/305 ; C30B 29/06 ; C30B 15/007 ; C30B 15/10 ; C30B 15/305 ; C30B 29/06 ; H01L 21/02005 ; H01L 21/02123 ; H01L 21/28167
Famille de brevets
KR20190017781A ; US2020216975A1 ; SG10202106913TA ; CN116314384A ; EP3469120A1 ; TW201809377A ; CN111201341A ; WO2017214084A1 ; US2021404088A1 ; JP2021169410A ; EP3995608A1 ; US2022056616A1 ; TW202217087A ; SG11201810486VA ; JP2019517454A
Abrégé
L'invention porte sur un procédé de préparation d'un lingot de silicium monocristallin et sur une plaquette découpée dans celui-ci. Les lingots et plaquettes comprennent de l'azote dans une concentration d'au moins environ 1x1014 atomes/cm3 et/ou du germanium dans une concentration d'au moins environ 1 x1019 atomes/cm3, de l'oxygène interstitiel dans une concentration inférieure à environ 6 ppma, et présentent une résistivité d'au moins environ 1000 ohms-cm.
INTERVENANTS
Déposant
SUNEDISON SEMICONDUCTOR LTD (SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED) - SG
BASAK SOUBIR (BASAK, Soubir) - US
Inventeur
BASAK SOUBIR (BASAK, Soubir) - US
PEIDOUS IGOR (PEIDOUS, Igor) - US
HUDSON CARISSIMA MARIE (HUDSON, Carissima Marie) - US
LEE HYUNGMIN (LEE, HyungMin) - US
KIM BYUNGCHUN (KIM, ByungChun) - US
FALSTER ROBERT J (FALSTER, Robert J.) - US