LINGOT ET PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN À RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE PRÉSENTANT UNE RÉSISTANCE MÉCANIQUE AMÉLIORÉE (Brevets)

Titre

LINGOT ET PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN À RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE PRÉSENTANT UNE RÉSISTANCE MÉCANIQUE AMÉLIORÉE

N° et date de publication de la demande

EP3995608 - 11/05/2022

Type de la demande

N° et date de dépôt

EP21217094 - 06/06/2017

N° et date de priorité

US201662347143 - 08/06/2016 ; US201662347145 - 08/06/2016

Classification CIB

C30B 29/06 ; C30B 15/30

Classification CPC

C30B 29/06 ; C30B 15/30 ; C30B 30/04 ; H01L 31/0288 ; C30B 15/305 ; C30B 29/06 ; C30B 15/305 ; C30B 29/06 ; C30B 15/007 ; C30B 15/10 ; C30B 15/305 ; C30B 29/06 ; H01L 21/02005 ; H01L 21/02123 ; H01L 21/28167

Famille de brevets

KR20190017781A ; US2020216975A1 ; SG10202106913TA ; CN116314384A ; EP3469120A1 ; TW201809377A ; CN111201341A ; WO2017214084A1 ; US2021404088A1 ; JP2021169410A ; EP3995608A1 ; US2022056616A1 ; TW202217087A ; SG11201810486VA ; JP2019517454A

Abrégé

Plaquette de silicium monocristallin comprenant : deux surfaces principales parallèles, dont l'une est une surface avant de la plaquette de silicium monocristallin et dont l'autre est une surface arrière de la plaquette de silicium monocristallin, un bord circonférentiel joignant les surfaces avant et arrière de la plaquette de silicium monocristallin, une région massive entre les surfaces avant et arrière, et un plan central de la plaquette de silicium monocristallin entre les surfaces avant et arrière de la plaquette de silicium monocristallin, où :(a) la région massive comprend une combinaison d'azote à une concentration d'au moins environ 1×10<14> atomes/cm3 et de germanium à une concentration d'au moins environ 1×10<19> atomes/cm3 ; (b) la région massive comprend de l'oxygène interstitiel à une concentration inférieure à environ 6 ppma (Nouvelle ASTM : ASTM F 121, 1980-1983 ; DIN 50438/1, 1978) ; et (c) la région massive de la plaquette de silicium monocristallin a une résistivité d'au moins environ 1000 ohms cm.