PROCEDES DE DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE (Brevets)

Titre

PROCEDES DE DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE

N° et date de publication de la demande

WO2004044963 - 27/05/2004

Type de la demande

A2

N° et date de dépôt

PCT/US0336223 - 12/11/2003

N° et date de priorité

US29307202 - 12/11/2002

Classification CIB

C23C 16/38 ; C23C 16/40 ; C23C 16/44 ; C23C 16/455 ; H01L 21/285 ; H01L 21/314 ; H01L 21/316 ; H01L 21/768

Classification CPC

C23C 16/38 ; C23C 16/403 ; C23C 16/45542 ; C23C 16/515 ; H01L 21/28562 ; H01L 21/76841 ; H01L 21/02274 ; H01L 21/02183 ; H01L 21/02186 ; H01L 21/0228 ; H01L 21/02205 ; H01L 21/02178 ; H01L 21/20 ; H01L 21/02183 ; H01L 21/0228 ; H01L 21/02205 ; H01L 21/02178 ; H01L 21/02274 ; H01L 21/02186 ; H01L 21/3141 ; H01L 21/31616 ; H01L 21/31683 ; H01L 21/02274 ; H01L 21/0228 ; H01L 21/02205 ; H01L 21/02178 ; H01L 21/02183 ; H01L 21/02186 ; C23C 16/45542 ; C23C 16/38 ; H01L 21/76841 ; C23C 16/403 ; H01L 21/28562 ; C23C 16/515

Famille de brevets

KR20050074581A ; KR20060105006A ; US2006029738A1 ; US2005260854A1 ; WO2004044963A2 ; AU2003290815A1 ; TW200424350A ; US2006172534A1 ; ATE507579T1 ; JP2006505696A ; US2004092132A1 ; CN1739188A ; EP1561239A2 ; KR20060110378A

Abrégé

Selon l'invention, un premier gaz précurseur s'écoule de manière efficace jusqu'au substrat placé dans une chambre pour former une première monocouche sur le substrat. Un deuxième gaz précurseur ayant une composition différente de celle du premier gaz précurseur s'écoule de manière efficace jusqu'à la première monocouche dans la chambre dans des conditions de plasma par micro-ondes sous la surface pour réagir avec la première monocouche et former sur le substrat une deuxième monocouche ayant une composition différente de celle de la première monocouche. La deuxième monocouche comprend les composants de la première monocouche et du deuxième précurseur. Dans un mode de réalisation, les écoulements du premier et du deuxième précurseur sont répétés successivement de manière efficace pour former une masse de matière sur le substrat de la deuxième composition monocouche. Des applications additionnelles et autres étudiées.