Brevet : EP2657375 - SUBSTANCE DE GERME POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SI...

Titre

SUBSTANCE DE GERME POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN

N° et date de publication de la demande

EP2657375 - 30/10/2013

Type de la demande

A1

N° et date de dépôt

EP11850722.7 - 29/06/2011

N° et date de priorité

JP2010288467 - 24/12/2010 ; JP2010288470 - 24/12/2010 ; JP2010288473 - 24/12/2010 ; JP2010288477 - 24/12/2010

Famille de brevets

TW201226639A ; KR20130132875A ; EP2657375A1 ; CN103270201A ; US2013269597A1 ; WO2012086238A1

Abrégé

Provided is an inexpensive seed material for liquid phase epitaxial growth of silicon carbide. A seed material 12 for liquid phase epitaxial growth of a monocrystalline silicon carbide includes a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph. Upon X-ray diffraction of the surface layer thereof, a first-order diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed as a diffraction peak corresponding to the polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph but no other first-order diffraction peak having a diffraction intensity of 10% or more of the diffraction intensity of the first-order diffraction peak corresponding to the (111) crystal plane is observed.