SUBSTANCE DE GERME POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN (Brevets)

Titre

SUBSTANCE DE GERME POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN

N° et date de publication de la demande

WO2012086238 - 28/06/2012

Type de la demande

N° et date de dépôt

PCT/JP2011064876 - 29/06/2011

N° et date de priorité

JP2010288467 - 24/12/2010 ; JP2010288470 - 24/12/2010 ; JP2010288473 - 24/12/2010 ; JP2010288477 - 24/12/2010

Classification CIB

C30B 29/36 ; C30B 19/12

Classification CPC

C30B 29/36 ; C30B 28/14 ; Y10T 428/26 ; C30B 19/12 ; C30B 19/12 ; C30B 29/36 ; H01L 21/20 ; Y10T 428/26 ; C30B 29/36 ; C30B 28/14 ; C30B 19/12

Famille de brevets

TW201226639A ; KR20130132875A ; EP2657375A1 ; CN103270201A ; US2013269597A1 ; WO2012086238A1

Abrégé

L'invention concerne une substance de germe pour croissance épitaxiale en phase liquide du carbure de silicium, dont le prix est modéré. Cette substance de germe pour croissance épitaxiale en phase liquide du carbure de silicium monocristallin (12) possède une couche superficielle contenant un carbure de silicium polycristallin de polymorphisme 3C. Par diffraction des rayons X de la couche superficielle, il est possible d'observer, en tant que pic de diffraction correspondant au carbure de silicium polycristallin de polymorphisme 3C, un pic de diffraction de premier ordre correspondant à une face cristalline (111), mais il n'est pas possible d'observer d'autres pics de diffraction de premier ordre possédant une intensité de diffraction supérieure ou égale de 10% à celle du pic de diffraction de premier ordre correspondant à la face cristalline (111).