PROCEDE DE GRAVURE PAR LA VOIE SECHE (Brevets)

Titre

PROCEDE DE GRAVURE PAR LA VOIE SECHE

N° et date de publication de la demande

WO9005994 - 31/05/1990

Type de la demande

A1

N° et date de dépôt

PCT/JP8901174 - 17/11/1989

N° et date de priorité

JP246189 - 09/01/1989 ; JP13518989 - 29/05/1989 ; JP29173688 - 18/11/1988

Classification CIB

H01L 21/311 ; H01L 21/3213

Classification CPC

H01L 21/31116 ; H01L 21/32137 ; H01L 21/302 ; H01L 21/31116 ; H01L 21/32137

Famille de brevets

US5201994A ; DE68926855T2 ; WO9005994A1 ; KR900702563A ; EP0406434A1

Abrégé

Procédé de gravure par la voie sèche présentant un rapport de sélection supérieur entre le matériau à traiter et le matériau sous-jacent, résultant d'une amélioration des gaz de réaction utilisés. Ces gaz de réaction consistent en un gaz de fluorure et en un gaz d'un composé contenant de l'hydrogène en tant qu'élément constitutif. Il est possible d'augmenter considérablement le rapport de sélection de gravure entre le matériau à traiter et le matériau sous-jacent, tout en empêchant ce dernier d'être gravé. Ce procédé convient à la production par gravure par la voie sèche de semi-conducteurs présentant un film d'oxyde de silicium sous le film de nitrure de silicium.