PROCÉDÉS DE FORMATION DE COMMUTATEURS À BASE DE GRAPHÈNE (Brevets)

Titre

PROCÉDÉS DE FORMATION DE COMMUTATEURS À BASE DE GRAPHÈNE

N° et date de publication de la demande

WO2013015935 - 31/01/2013

Type de la demande

A2

N° et date de dépôt

PCT/US2012044484 - 27/06/2012

N° et date de priorité

US201113191192 - 26/07/2011

Classification CIB

H01L 27/02

Classification CPC

H01L 23/525 ; H01L 23/53276 ; H01L 29/1606 ; H01L 29/0676 ; H01L 29/78684 ; H01L 29/66742 ; H01L 29/78642 ; H01L 29/66022 ; H01L 29/7788 ; H01L 29/0665 ; H01L2924/0002 ; H01L 29/66022 ; H01L 29/7788 ; H01L 29/0665 ; H01L 29/78684 ; H01L 29/66742 ; H01L 29/78642 ; H01L 23/525 ; H01L 23/53276 ; H01L 29/1606 ; H01L 29/0676 ; H01L2924/0002 ; H01L 21/768

Famille de brevets

US2013029460A1 ; US2013157420A1 ; KR20140050676A ; JP2014524157A ; CN103703563A ; EP2742530A2 ; TW201320130A ; WO2013015935A2

Abrégé

Selon certains modes de réalisation, cette invention concerne des procédés de formation de commutateurs à base de graphène, comprenant les étapes consistant à : former une électrode inférieure sur une base, et former une première structure conductrice de façon à ce qu'elle s'étende vers le haut à partir de l'électrode inférieure ; former un matériau diélectrique le long d'une paroi latérale de la première structure conductrice, tout en laissant une partie de l'électrode inférieure exposée ; former une structure à base de graphène qui sera mise en contact électrique avec la partie exposée de l'électrode inférieure ; former une seconde structure conductrice sur un côté opposé de la structure à base de graphène par rapport à la première structure conductrice ; former sur la structure à base de graphène une électrode supérieure qui sera mise en contact électrique avec la seconde structure conductrice. La première et la seconde structure conductrice peuvent être conçues de façon à créer un champ électrique à travers la structure de graphène.