Brevet : WO2010047911 - COMMANDE DE PROGRAMME DE TAMPON DE PAGES ET PROCÉDÉS POUR REPROGRAMMER DES P...

Titre

COMMANDE DE PROGRAMME DE TAMPON DE PAGES ET PROCÉDÉS POUR REPROGRAMMER DES PAGES SANS RESSAISIR DES DONNÉES DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE

N° et date de publication de la demande

WO2010047911 - 29/04/2010

Type de la demande

A1

N° et date de dépôt

PCT/US2009057992 - 23/09/2009

N° et date de priorité

US10850708 - 25/10/2008 ; US41492509 - 31/03/2009

Famille de brevets

US2010106893A1 ; TW201027557A ; KR20110094289A ; WO2010047911A1 ; USRE46154E ; JP2012507070A ; CN102203873A ; EP2351040A1

Abrégé

Une technique conçue pour traiter efficacement des défaillances d'opérations d'écriture dans un dispositif de mémoire qui communique avec un dispositif hôte externe permet de réécrire une page de données dans une matrice de mémoire à partir d'un tampon de pages. L'hôte transmet au dispositif de mémoire des données d'utilisateur, une première adresse d'écriture et une commande d'écriture. Si la tentative d'écriture échoue, l'hôte transmet une commande de réécriture avec une nouvelle adresse sans renvoyer les données d'utilisateur au dispositif de mémoire. Des données supplémentaires peuvent être reçues dans une mémoire cache de données du dispositif de mémoire pendant qu'une réécriture à partir du tampon de pages est en cours. Les données réécrites peuvent être obtenues lors d'une opération de copie au cours de laquelle les données sont lues vers l'hôte, modifiées et réécrites dans le dispositif de mémoire. Au cours de l'opération de copie, il est possible d'entrer des données supplémentaires dans le dispositif de mémoire. Les données du tampon de pages peuvent également être modifiées à cet emplacement.