MEMOIRE NON VOLATILE PRESENTANT UNE POLARISATION SUR L'ELECTRODE SOURCE POUR LA PROGRAMMATION HCI (Brevets)

Titre

MEMOIRE NON VOLATILE PRESENTANT UNE POLARISATION SUR L'ELECTRODE SOURCE POUR LA PROGRAMMATION HCI

N° et date de publication de la demande

WO2004100216 - 18/11/2004

Type de la demande

N° et date de dépôt

PCT/US2004011870 - 16/04/2004

N° et date de priorité

US42628203 - 30/04/2003

Classification CIB

G11C 11/34 ; G11C 16/04 ; G11C 16/10 ; G11C 16/30 ; H01L 20060101S

Classification CPC

G11C 16/10 ; G11C 16/30 ; G11C 16/12 ; G11C 11/34 ; G11C 16/10 ; G11C 16/30

Famille de brevets

CN1781157A ; WO2004100216A2 ; JP2006525622A ; EP1623431A2 ; KR20060008942A ; ATE446577T1 ; TW200506939A ; US2004218421A1

Abrégé

Chaque cellule (60, 62, 64, 66) d'une mémoire (10) est programmée d'abord au moyen d'une polarisation de source qui sert généralement à programmer des cellules (60-66). Si une cellule (60-66) n'est pas programmée avec succès lors de la première tentative, c'est généralement dû au fait qu'un nombre de cellules (60-66) sur la même colonne (74, 78) et que celui de la cellule (60-66) qui n'ont pas réussi la programmation ont une tension de seuil relativement basse, une tension de seuil assez basse pour ces cellules de mémoire (60-66) soient polarisées, même avec des grilles à la terre, pour être conductrices. Les cellules (60-66) n'ont pas, en grande majorité, ce problème, mais il arrive couramment que quelques cellules de mémoire (60-66) présentent cette caractéristique de tension de seuil basse. Afin de résoudre ce problème, une polarisation de source différente est appliquée au cours de tentatives de programmation ultérieures. Par conséquent, la grande majorité des cellules (60-66) sont programmées à des conditions de programmation plus rapides, et seules les quelques cellules qui en ont besoin sont programmées selon l'approche plus lente.