DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES À COUCHE MINCE COMPRENANT DU CADMIUM ET DU TELLURE AVEC DOPAGE GROUPE V (Brevets)

Titre

DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES À COUCHE MINCE COMPRENANT DU CADMIUM ET DU TELLURE AVEC DOPAGE GROUPE V

N° et date de publication de la demande

EP3719853 - 07/10/2020

Type de la demande

N° et date de dépôt

EP20174225 - 27/02/2018

N° et date de priorité

US201762464127 - 27/02/2017

Classification CIB

H01L 31/0296

Classification CPC

H01L 31/1828 ; H01L 31/02963 ; H01L 31/1832 ; H01L 31/02966 ; H01L 31/0445 ; H01L 31/03925 ; H01L 31/02963 ; H01L 31/02966 ; Y02E 10/544 ; Y02E 10/547 ; H01L 31/02963 ; H01L 31/03044 ; H01L 31/0516 ; H01L 31/18 ; H01L 31/1828 ; H01L 31/1864

Famille de brevets

AU2018224308A1 ; MY192457A ; US2020035844A1 ; JP2021007171A ; CN117038788A ; WO2018157106A1 ; CN110546770A ; US2022285569A1 ; EP3586375A1 ; JP2020508584A ; EP3719853A1

Abrégé

L‘invention concerne un procédé de formation d'un dispositif photovoltaïque comprenant le dépôt d'une pluralité de couches semi-conductrices. La pluralité de couches semi-conductrices peut comprendre une couche dopée qui est dopée avec un dopant du groupe V. La couche dopée peut comprendre du séléniure de cadmium ou du tellurure de cadmium. Le procédé peut comprendre le recuit de la pluralité de couches semi-conductrices pour former une couche absorbante.