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Brevet : EP3200253 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE VERTICAL ET T...
Titre
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE VERTICAL ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE VERTICAL
N° et date de publication de la demande
EP3200253 - 02/08/2017
Type de la demande
A1
N° et date de dépôt
EP16153391.4 - 29/01/2016
N° et date de priorité
EP16153391 - 29/01/2016
Classification CIB
Classification CPC
H10K 71/621 ; H10K 10/491 ; H10K 10/84 ; H10K 71/13 ; H10K 71/221 ; H10K 10/491 ; H10K 10/491 ; H10K 10/84 ; H10K 71/221 ; H10K 71/231 ; H10K 71/13
Famille de brevets
Abrégé
L‘invention concerne un procédé de fabrication d‘un transistor à effet de champ organique vertical, dans lequel un transistor à effet de champ organique vertical avec un agencement de couches est réalisé sur un substrat, qui comprend des électrodes de transistor, à savoir une première électrode (23 ; 24), une seconde électrode (23 ; 24) et une troisième électrode (32), des couches électriquement isolantes (25 ; 34), et une couche semi-conductrice organique (28). En outre, un transistor à effet de champ organique vertical est également réalisé, qui comporte un agencement de couches avec des électrodes de transistor sur un substrat (21). (Figure 4)
INTERVENANTS
Déposant
NOVALED GMBH - TATZBERG 49 01307 DRESDEN - DE
Titulaire
Novaled GmbH - Elisabeth-Boer-Strasse 9 01099 Dresden - DE
Inventeur
Kleemann, Hans 01099 Dresden - DE
Schwartz, Gregor 01307 Dresden - DE
Mandataire
Bittner, Thomas L. - Boehmert & Boehmert Anwaltspartnerschaft mbB Pettenkoferstrasse 22 80336 München - DE
STATUT EN FRANCE : Déchu
Délivrance
30/06/2021
Registre national des brevets (RNB)
10/10/2023 - N°0259973 - OO : Dérogation à la compétence de la Juridiction Unifiée du Brevet (BOPI 2023-46)
Date de constatation de déchéance
-
05/09/2022 (BOPI 2022-39)
Date de paiement de la prochaine annuité
31/01/2022
