Brevet : EP1689002 - Dispositif de mémoire rémanente et procédé pour sa fabrication

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Titre

Dispositif de mémoire rémanente et procédé pour sa fabrication

N° et date de publication de la demande

EP1689002 - 09/08/2006

Type de la demande

A2

N° et date de dépôt

EP05256507.4 - 20/10/2005

N° et date de priorité

KR20050010187 - 03/02/2005

Abrégé

L'invention concerne un dispositif de mémoire non volatile et son procédé de fabrication. Le dispositif de mémoire non volatile comprend un substrat semi-conducteur (30) sur lequel sont formées une région de source (32), une région de drain (34) et une région de canal (36), une couche d'oxyde de silicium (41) réalisée sur la région de canal (36), une couche d'oxyde de métal de transition (44) qui contient des particules de piègeage (45) pour piéger les électrons et qui est déposée sur la couche d'oxyde de silicium (41), et une électrode de grille (48) placée sur la couche d'oxyde de métal de transition (44).

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INTERVENANTS

Déposant

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. - 416 MAETAN-DONG, YEONGTONG-GU SUWON-SI, GYEONGGI-DO - KR

Titulaire

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. - 129, SAMSUNG-RO YEONGTONG-GU SUWON-SI, GYEONGGI-DO, 443-742 - KR

Inventeur

LEE, JUNG-HYUN YONGIN-SI GYEONGGI-DO - KR

KIM, KYU-SIK 116-1306 NEULPUREUN BYUCKSAN APT.,488 GYEONGGI-DO - KR

Mandataire

IPSILON - LE CENTRALIS 63 AVENUE DU GENERAL LECLERC - 92340 BOURG LA REINE - FR - N° Siren : 351693007

STATUT EN FRANCE : Déchu

Délivrance

22/02/2012

Registre national des brevets (RNB)

10/11/2023 - N°0260613 - OO : Dérogation à la compétence de la Juridiction Unifiée du Brevet (BOPI 2023-51)

Date de constatation de déchéance

Dernière annuité payée

21/10/2014

Quantième- N° de l'annuité payée

10

Date de paiement de la prochaine annuité

02/11/2015

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