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Brevet : EP1119032 - Méthode pour la production d'un dispositif semi-conducteur
Titre
Méthode pour la production d'un dispositif semi-conducteur
N° et date de publication de la demande
EP1119032 - 25/07/2001
Type de la demande
A2
N° et date de dépôt
EP01107622.1 - 20/04/1993
N° et date de priorité
JP10309192 - 22/04/1992 ; JP13536192 - 27/05/1992 ; JP15833192 - 17/06/1992 ; JP16123592 - 19/06/1992 ; JP25016292 - 18/09/1992 ; JP25016392 - 18/09/1992
Classification CIB
H01L 21/3063 ; B81B 3/00 ; G01L 9/00 ; G01P 15/08 ; G01P 15/12 ; H01L 21/78
Classification CPC
B81B2201/0235 ; B81C 1/00158 ; B81C 1/00888 ; B81C2201/0114 ; B81C2201/053 ; G01L 9/0055 ; G01P 15/0802 ; G01P 15/123 ; H01L 21/3063 ; H01L 21/78 ; Y10S 148/028 ; Y10S 148/159 ; Y10S 438/977 ; B81B2201/0235 ; B81C 1/00158 ; B81C 1/00888 ; B81C2201/0114 ; B81C2201/053 ; G01L 9/0055 ; G01P 15/0802 ; G01P 15/123 ; H01L 21/3063 ; H01L 21/78
Famille de brevets
EP0567075A2 ; DE69330980T2 ; US5525549A ; DE69334194T2 ; EP1119032A2
Abrégé
L'invention concerne un procédé et un appareil pour produire un dispositif semi-conducteur comportant un diaphragme sous forme de partie mince et une section de circuit intégré avec des électrodes sur le même substrat, le dit procédé comprenant une première étape pour réaliser une couche semi-conductrice d'un second type de conduction sur un substrat semi-conducteur monocristallin du premier type de conduction, une seconde étape de réalisation de la section de circuit intégré avec des électrodes sur la couche semi-conductrice, une troisième étape de réalisation d'une électrode dans une zone comportant une ligne de marquage sur la couche semi-conductrice et de connexion de l'électrode dans la zone de marquage à l'électrode de la section de circuit intégré, une quatrième étape d'attaque électrochimique de parties déterminées du substrat en transmettant de l'électricité pour l'attaque électrochimique par l'intermédiaire de l'électrode dans la zone inscrite, afin de réaliser le diaphragme à partir de la couche semi-conductrice et une cinquième étape pour diviser le substrat en puces le long de la zone comportant une ligne de marquage, chacune des puces constituant le dispositif semi-conducteur.
INTERVENANTS
Déposant
DENSO CORP (DENSO CORPORATION) - JP
Titulaire
Denso Corporation
Inventeur
FUKADA TSUYOSHI (FUKADA, TSUYOSHI) - JP
YOSHINO YOSHIMI (YOSHINO, YOSHIMI) - JP
TANIZAWA YUKIHIKO (TANIZAWA, YUKIHIKO) - JP
Mandataire
NOVAGRAAF BREVETS - BATIMENT O2 2 RUE SARAH BERNHARDT CS90017 - 92665 ASNIERES SUR SEINE CEDEX - FR - N° Siren : 389361395
STATUT EN FRANCE : Dossier expiré
Délivrance
12/12/2007
Remise de traduction du brevet
01/08/2008 (BOPI 2008-31)
Dernière annuité payée
10/04/2012
Quantième- N° de l'annuité payée
20
