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Brevet : EP0810731 - Circuit d'attaque de transistor commandé en tension
Titre
Circuit d'attaque de transistor commandé en tension
N° et date de publication de la demande
EP0810731 - 03/12/1997
Type de la demande
A2
N° et date de dépôt
EP96118756.4 - 22/11/1996
N° et date de priorité
JP13377596 - 28/05/1996 ; JP19071996 - 19/07/1996
Classification CIB
Classification CPC
Famille de brevets
Abrégé
Cette invention concerne un circuit d'attaque à transistor commandé en tension qui comprend un circuit générateur de tension de grille qui produit une tension de grille conformément à un signal d'entrée commandant l'état marche ou arrêt du transistor commandé en tension et qui applique la tension de grille à la grille du transistor commandé en tension, et un circuit limiteur de courant qui limite le courant passant de la grille vers le circuit générateur de tension de grille dans une valeur prescrite quand le circuit générateur de tension de grille produit une tension de signal d'arrêt.
INTERVENANTS
Déposant
MITSUBISHI ELECTRIC CORP (MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA) - JP
Titulaire
TOSHIBA MITSUBISHI ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION - 13-16 MITA 3 CHOME MINATO KU TOKYO - JP
Inventeur
MORI HARUYOSHI (MORI, HARUYOSHI) - JP
Mandataire
CABINET BEAU DE LOMENIE - 158 RUE DE L UNIVERSITE - 75340 PARIS CEDEX 07 - FR - N° Siren : 775671076
STATUT EN FRANCE : Dossier expiré
Délivrance
02/06/2004
Remise de traduction du brevet
28/01/2005 (BOPI 2005-04)
Registre national des brevets (RNB)
18/01/2005 - N°0143468 - TO : Inscription d'une transmission totale de propriété
Dernière annuité payée
08/10/2015
Quantième- N° de l'annuité payée
20
