Précédent
Suivant
Brevet : EP0584778 - Procédé de fabrication d'un substrat semiconducteur
Titre
Procédé de fabrication d'un substrat semiconducteur
N° et date de publication de la demande
EP0584778 - 02/03/1994
Type de la demande
A2
N° et date de dépôt
EP93113473.8 - 24/08/1993
N° et date de priorité
JP24717392 - 25/08/1992
Classification CIB
Classification CPC
H01L 21/2007 ; H01L2224/83894 ; Y10S 148/012 ; Y10S 148/135 ; H01L 21/2007 ; H01L2224/83894
Famille de brevets
Abrégé
Un substrat semi-conducteur comprend plusieurs substrats à fixer et il comporte une couche pour favoriser la fixation dans laquelle sont implantés des ions de silicium à l'interface situé entre les substrats à fixer; les substrats sont fixés les uns aux autres avec interposition d'une couche favorisant la fixation.
INTERVENANTS
Déposant
CANON KK (CANON KABUSHIKI KAISHA) - JP
Titulaire
CANON KABUSHIKI KAISHA
Inventeur
YONEHARA TAKAO (YONEHARA, TAKAO) - JP
Mandataire
SANTARELLI - 49, AVENUE DES CHAMPS ELYSEES - 75008 PARIS - FR
STATUT EN FRANCE : Dossier déchu définitivement
Délivrance
05/11/2003
Remise de traduction du brevet
02/07/2004 (BOPI 2004-27)
Date de constatation de déchéance
-
30/04/2007 (BOPI 2007-18)
Dernière annuité payée
09/08/2005
Quantième- N° de l'annuité payée
13
