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Notice n° EP0764982
Titre
Procédé pour la fabrication d'un circuit CMOS intégré
N° et date de publication de la demande
EP0764982 - 26/03/1997
Type de la demande
A1
N° et date de dépôt
EP96114027.4 - 02/09/1996
N° et date de priorité
DE19535629 - 25/09/1995
Classification CIB
Classification CPC
H01L 21/823842 ; H01L 27/0928 ; H01L 21/18 ; H01L 21/823842 ; H01L 27/0928
Famille de brevets
DE19535629C1 ; US5882964A ; JPH09129752A ; EP0764982A1 ; TW398056B ; KR970018255A
Abrégé
Pour fabriquer un circuit intégré CMOS, on dépose sur un substrat (21) une couche diélectrique (22) et une couche de silicium (23). Lors de la formation des structures d'isolement (26) qui isolent les domaines actifs voisins dans le substrat (21), la couche de silicium (23) est structurée de telle sorte qu'elle comprend des domaines partiels séparés qui sont ensuite dopés différemment. En déposant sur toute la surface une couche électriquement conductrice, et en structurant ensemble la couche électriquement conductrice et la couche de silicium structurée, on forme des électrodes de grille (215, 216) dopées différemment et un plan de métallisation (217) par lequel les électrodes de grille (215, 216) sont reliées électriquement. En séparant la couche de silicium avant le dopage, on n'a pas de diffusion latérale du dopant.
INTERVENANTS
Déposant
INFINEON TECHNOLOGIES AG - SAINT MARTIN STRASSSE 53 81669 MUNCHEN - DE
Titulaire
INFINEON TECHNOLOGIES AG - SAINT MARTIN STRASSSE 53 81669 MUNCHEN - DE
Inventeur
SCHWALKE UDO DR (SCHWALKE, UDO, DR.) - DE
Mandataire
CABINET FLECHNER - 22 AVENUE DE FRIEDLAND - 75008 PARIS - FR - N° Siren : 389528555
STATUT EN FRANCE : Dossier expiré
Délivrance
12/12/2001
Remise de traduction du brevet
24/05/2002 (BOPI 2002-21)
Dernière annuité payée
22/09/2015
Quantième- N° de l'annuité payée
20
