Brevet : WO2012156762 - SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION PAR INFRAROUGES

Titre

SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION PAR INFRAROUGES

N° et date de publication de la demande

WO2012156762 - 22/11/2012

Type de la demande

A1

N° et date de dépôt

PCT/GB2012051706 - 18/07/2012

N° et date de priorité

GB201108353 - 18/05/2011

Famille de brevets

WO2012156762A1 ; EP2772047A1 ; US2014091218A1 ; ES2927824T3 ; GB2490929A

Abrégé

La présente invention se rapporte à un système et à un procédé de détection par infrarouges. Le système de détection par infrarouges comprend un réseau de diodes de détection 3 et une mémoire non volatile 1. La mémoire non volatile 1 utilise des CMOS réalisés selon la technologie des fusibles de silicium, qui sont souvent des éléments de polysilicium programmés au moyen de profils tension-courant-temps adaptés à la technologie de traitement du silicium. Cette technologie est telle que, quand elle est appliquée, elle amène l'élément de polysilicium à se réchauffer rapidement et à fondre. En résultat, l'élément fusible provoque un circuit ouvert, un peu comme quand un fusible classique saute. Il s'agit d'une opération irréversible qui peut être utilisée de sorte à programmer des données dans le fusible, données qui réaliseront la fonction de mémoire programmable uniservice. De cette manière, le fusible agit en tant qu'un élément logique doté d'un état logique permanent programmable par l'utilisateur et uniservice. Un ensemble de cellules de mémoire de ce type est mappé sur un ensemble de détecteurs à diodes de l'ordre du sous-pixel. Chaque cellule de mémoire de ce type est mappée sur un contacteur de commande de l'ordre du sous-pixel qui connecte chaque élément formant diode du détecteur de l'ordre du sous-pixel à un noeud de connexion d'utilisateur. Des données contenues dans la cellule de mémoire peuvent ainsi commander le contacteur et, partant, la configuration et le fonctionnement de chacun des détecteurs à diodes de l'ordre du sous-pixel connecté de l'ensemble.