MEMOIRE NON VOLATILE (Brevets)

Titre

MEMOIRE NON VOLATILE

N° et date de publication de la demande

WO2005076281 - 18/08/2005

Type de la demande

A1

N° et date de dépôt

PCT/JP2005002108 - 04/02/2005

N° et date de priorité

JP2004033081 - 10/02/2004 ; JP2004033075 - 10/02/2004

Classification CIB

G11C 16/02 ; G11C 16/22 ; G11C 16/04 ; H01L 21/02 ; H01L 21/8247 ; H01L 27/12 ; H01L 29/786 ; H01L 29/788 ; H01L 29/792 ; H10B 69/00

Classification CPC

G11C 16/22 ; G11C 29/702 ; G11C 16/10 ; G11C 16/30 ; G11C 16/22 ; G11C 29/702

Famille de brevets

CN1918663A ; EP1714294A1 ; KR20070022654A ; US2008144374A1 ; WO2005076281A1 ; KR20120030572A ; JP2005259334A

Abrégé

Une cellule de mémoire pour stocker des données de 1 bit est formée au moyen d'au moins deux éléments de mémoire dans la mémoire non volatile de type OTP utilisant un élément de mémoire possédant deux états et capable de subir une transition dans un seul sens. Dans la mémoire non volatile de type OTP utilisant un élément de mémoire possédant deux états, à savoir un état H (premier état) et un état L (deuxième état) (ci-après dénommés simplement H et L), et capable de subir une transition par voie électrique, dans un seul sens, de L à H, une cellule de mémoire pour stocker des données de 1 bit est formée au moyen d'au moins deux éléments de mémoire.