Brevet : WO0250894 - RENFORCEMENT STRUCTUREL DE FILMS DIELECTRIQUES FORTEMENT POREUX ET A FAIBLE CON...
Titre
RENFORCEMENT STRUCTUREL DE FILMS DIELECTRIQUES FORTEMENT POREUX ET A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE PAR DES STRUCTURES A EFFET DE BARRIERE A LA DIFFUSION DU CUIVRE
N° et date de publication de la demande
WO0250894 - 27/06/2002
Type de la demande
A2
N° et date de dépôt
PCT/US0150808 - 18/12/2001
N° et date de priorité
US74770100 - 20/12/2000
Classification CIB
Classification CPC
H01L 21/02126 ; H01L 21/02203 ; H01L 21/02304 ; H01L 21/02362 ; H01L 21/76801 ; H01L 21/76802 ; H01L 21/76807 ; H01L 21/31695 ; H01L 21/02126 ; H01L 21/76807 ; H01L 21/02203 ; H01L 21/02304 ; H01L 21/76802 ; H01L 21/76801 ; H01L 21/02362
Famille de brevets
US2002132468A1 ; TW531830B ; AU3133002A ; US2002074663A1 ; EP1356509A2 ; WO0250894A2 ; CN1537330A
Abrégé
Des matières diélectriques fortement poreuses et à faible constante diélectrique sont mécaniquement renforcées de manière à pouvoir être utilisées en tant que diélectriques intracouche et intercouche dans des circuits intégrés perfectionnés tels que ceux contenant des matières fortement poreuses dans des applications d'interconnexion "damascène" au cuivre. Un circuit intégré comportant une telle couche diélectrique renforcée mécaniquement comprend généralement un substrat à l'intérieur duquel sont interconnectés des éléments électriques, une couche présentant un effet de barrière à la diffusion du cuivre ou d'arrêt de la gravure et disposée sur ledit substrat, ladite couche à effet de barrière à la diffusion du cuivre ou d'arrêt de la gravure présentant des motifs permettant la formation d'une pluralité de structures électriquement isolantes, et une couche diélectrique à faible constante diélectrique disposée autour de ladite pluralité de structures. Un procédé de fabrication d'une couche diélectrique fortement poreuse, à faible constante diélectrique et à renforcement électrique, consiste généralement à former une couche d'arrêt de la gravure ou de la diffusion du cuivre sur un substrat, à conférer des motifs à ladite couche d'arrêt de la gravure ou de la diffusion du cuivre de manière à former une pluralité de structures présentant chacune une surface supérieure, à former une couche diélectrique à faible constante diélectrique au-dessus desdites structures et en position adjacente à celles-ci, ladite couche diélectrique présentant une surface supérieure, et à polir la couche diélectrique à faible constante diélectrique de sorte que sa surface supérieure soit sensiblement à niveau avec les surfaces supérieures desdites structures. Les structures en question peuvent être des montants rectangulaires ou présenter des formes géométriquement plus complexes. Ces structures peuvent être identiques ou se présenter comme une combinaison de diverses formes.
INTERVENANTS
Déposant
INTEL CORP (INTEL CORPORATION) - US
WONG LAWRENCE D (WONG, LAWRENCE, D.) - US
Inventeur
WONG LAWRENCE D (WONG, LAWRENCE, D.) - US